苏州微科鼎镀膜科技有限公司
离子束溅射镀膜设备

离子束溅射设备

LIDIZ IBS溅射系统是一种应用广泛的高效精密光学镀膜设备。LIDIZ配备用于基片预清洗、表面活化、溅射辅助的射频栅网离子源,以及射频中和器。LIDIZ用于从多种材料中获得高精度、高质量的薄膜,提供独特的光学工艺控制系统:单波长OCP和宽带OCP,可智能实时优化光学镀膜设计,自动完成高精度和优异重复性的复杂滤光片镀膜。

  • 配置射频中和器的射频离子束溅射沉积

  • 用于辅助、预清洁、表面活化且配置射频中和器的射频离子源

  • 多种IZOVAC自动光控系统配置:宽带OCP,单波长OCP, 兼具2种控制类型的OCP Duo

  • 具有负载腔的单盘式或行星架系统可以增加产量

  • 优异的工艺稳定性及成品率


技术参数

装机面积

3540×1840×2000 mm (L×W×H)                      

设备重量

4500 kg

溅射源

配射频中和器的栅网型射频离子源

辅助源

配射频中和器的栅网型射频离子源


工件架镀膜面积

单盘式Ø320 mm (800 cm2)

行星式3×Ø320 mm ( 2400 cm2)

负载腔

适用单盘式工件架

镀膜均匀性

≤±0.5%

≤±0.25% 使用均匀

工艺控制系统

OCP自动光学控制系统

  • 宽带OCP

  • 单波长OCP

  • 兼具2种控制类型的OCP Duo

 

基片材料

玻璃陶瓷、彩色及消色差光学玻璃、石英、氟化钾、蓝宝石等。

最大靶位数

4 pcs

溅射靶材

TiO2, Ta2O5, Nb2O5, ZrO2, HfO2, SiO2, etc.

镀膜速率

1.4 - 2.1 Å /sec 由具体材料决定

工艺中基片温度(无加热情况)

<100 оС.

基片加热系统温度

≤250 оС.

基片加热均匀性

± 2оС

极限真空度

8E-5 Pa

达到极限真空时间

8 hours

工艺起始压力

8E-4 Pa

达到工艺起始压力时间

30 min

真空泵系统

干式机械泵&冷阱泵

可选分子泵

镀膜实例

532 nm 窄带滤光片

image.png


532 nm + 1064 nm 带阻滤波器

image.png